近期，陈斌文、陈桂林等的“磁控溅射制备GeSe薄膜太阳能电池”研究成果在《Solar Energy》上发表。
论文简介如下：
GeSe是一类IV-VI化合物半导体材料，其成分丰富、低毒，可作为一种潜在的太阳能吸收层材料，已引起众多科研工作者的注意。在这个工作中，我们首先引入了一种简单、高效的磁控溅射法沉积GeSe前驱膜，随后将其置于真空中退火以改善薄膜质量。不同退火温度对前驱膜结晶性、形貌和相转变的影响也得到了系统的研究，结果表明400℃退火过程中可使少量的GeSe2杂项自分解并获得纯相GeSe薄膜。最后，组装了具有FTO/CdS/GeSe/C-Ag结构的器件，其Voc可达220mV，证明了GeSe可作为一种低成本的太阳能电池材料。
官网链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038092X18310090
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